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世界的に定評のあるFundamentals of Modern VLSI Devicesの第3版の翻訳書。改訂にあたっては、全体の構成も見直し、学びやすいように順序立てを行っている。さらに、高誘電率 (high-κ) ゲート絶縁膜、メタルゲート技術、ひずみシリコン移動度、MOSFETの非GCAモデリング、短チャネルFinFET、およびSOI上の対称横型バイポーラトランジスタといった話題が新たに追加されている。電子デバイスの開発や研究に携わる技術者、研究者、学生に向けた座右の書。